一、pcb元件参数?
PCB板工艺参数
1、线路
1)最小线宽:6mil(0.153mm)。也就是说如果小于6mil线宽将不能生产,如果设计条件许可,设计越大越好,线宽越大,工厂越好生产,良率越高。一般设计常规在10mil左右。
2)最小线距:6mil(0.153mm)。最小线距,就是线到线,线到焊盘的距离不小于6mil从生产角度出发,是越大越好,一般常规在10mil,当然设计有条件的情况下,越大越好。
3)铜到外形线间距0.508mm(20mil),线路到外形线间距0.15mm(6mil)最小。
二、光敏元件参数?
光敏元件,是一种对光源敏感的电子元件。是基于半导体光电效应的光电转换传感器,又称光电敏感器。采用光、电技术能实现无接触、远距离、快速和精确测量,因此半导体光敏元件还常用来间接测量能转换成光量的其他物理或化学量。
光敏电阻器的主要参数
1)亮电阻(kΩ):指光敏电阻器受到光照射时的电阻值。
2)暗电阻(MΩ):指光敏电阻器在无光照射(黑暗环境)时的电阻值。
3)最高工作电压(V):指光敏电阻器在额定功率下所允许承受的最高电压
4)亮电流:指光敏电阻器在规定的外加电压下受到光照射时所通过的电流。
5)暗电流(mA):指在无光照射时,光敏电阻器在规定的外加电压下通过的电流。
6)时间常数(s):指光敏电阻器从光照跃变开始到稳定亮电流的63%时所需的时间。
7)电阻温度系数:指光敏电阻器在环境温度改变1℃时,其电阻值的相对变化。
8)灵敏度:指光敏电阻器在有光照射和无光照射时电阻值的相对变化。
三、9014晶体管参数?
9014三极管参数有
集电极漏电流:ICBOVCB=60V,IE=0100nA
发射极漏电流:IEBOVBE=5V,IC=0100nA
集电极、发射极击穿电压:BVCEOIC=1mA,IB=050V
发射极、基极击穿电压:BVEBOIE=10μA,IC=05V
集电极、基极击穿电压:BVCBOIC=100μA,IE=060V
集电极、发射极饱和压降:VCE(sat)IC=100mA,IB=10mA0.25V
基极、发射极饱和压降:VBE(sat)IC=100mA,IB=10mA1.0V
直流电流增益:HFE1VCE=6V,IC=2mA120700HFE2VCE=6V,IC=150mA25
四、MY晶体管参数?
MY标记的贴片三极管是双极结型晶体管(BJT) ,
所属系列: 2SC2873 ,是 NPN 50V/2A 贴片三极管 (丝印MY ),封装形式:SOT89 .
2SC2873可以用2SC3736的贴片三极管代换,丝印 OK, 封装也是采用SOT-89 。
五、107a元件参数?
参数; 重复峰值反向电压:800 V; 最大保持电流:10 mA; 浪涌电流额定值:13.8 A; 重复峰值正向阻断电压:800 V; 峰值通态电压:1.6@1A V; 重复峰值断态电流:0.5 mA; 最大栅极触发电压:1.3 V; 最大门极触发电流:10 mA; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Through Hole。
六、霍尔元件4103参数?
传感器类型,单极霍尔。工作点(BoP)150。数字信号。电压,30。工作温度150。最小包装数1000。应用领域:机械设备。
七、晶体管的耐压参数?
晶体管极性: PNP
最大耗散功率 (Pc): 25
集电极–基极击穿电压 (Ucb): 150
集电极–发射极击穿电压 (Uce): 150
发射极–基极击穿电压 (Ueb): 5
最大集电极电流 (Ic): 1.5
最大工作温度 (Tj), °C: 125
最大工作频率 (ft): 4
输出电容 (Cc), pF: 110
直流电流增益 (hfe): 40
八、a1010晶体管参数?
型号:2SA1010
类型:PNP三极管
集电极耗散功率(PC):40 W
集电极电流(IC):5 A
集电极与基极最高耐压(VCBO):100 V
集电极与基极反向漏电流(ICBO):10 μA
直流放大系数(hFE):40-200
封装:TO-220AB
九、gto晶体管有哪些参数?
最常用的是8050和8550
如果是高频的话3906和3904就可以了
要考虑的参数:
工作频率
vcbo
功耗
ic
十、双极性晶体管参数?
双极型晶体管极限参数:
★最大集电极耗散功率 。
★最大集电极电流 :使b下降到正常值的1/2~2/3时的集电极电流称之为集电极最大允许电流。
★极间反向击穿电压:晶体管的某一电极开路时,另外两个电极间所允许加的最高反向电压即为极间反向击穿电压,超过此值的管子会发生击穿现象。温度升高时,击穿电压要下降