9014晶体管参数？ MY晶体管参数？

一、9014晶体管参数？

9014三极管参数有

集电极漏电流：ICBOVCB=60V,IE=0100nA

发射极漏电流：IEBOVBE=5V,IC=0100nA

集电极、发射极击穿电压：BVCEOIC=1mA,IB=050V

发射极、基极击穿电压：BVEBOIE=10μA,IC=05V

集电极、基极击穿电压：BVCBOIC=100μA,IE=060V

集电极、发射极饱和压降：VCE(sat)IC=100mA，IB=10mA0.25V

基极、发射极饱和压降：VBE(sat)IC=100mA,IB=10mA1.0V

直流电流增益：HFE1VCE=6V，IC=2mA120700HFE2VCE=6V，IC=150mA25

二、MY晶体管参数？

MY标记的贴片三极管是双极结型晶体管(BJT) ，

所属系列: 2SC2873 ，是 NPN 50V/2A 贴片三极管 （丝印MY ），封装形式：SOT89 .

2SC2873可以用2SC3736的贴片三极管代换，丝印 OK， 封装也是采用SOT-89 。

三、晶体管的耐压参数？

晶体管极性: PNP

最大耗散功率 (Pc): 25

集电极–基极击穿电压 (Ucb): 150

集电极–发射极击穿电压 (Uce): 150

发射极–基极击穿电压 (Ueb): 5

最大集电极电流 (Ic): 1.5

最大工作温度 (Tj), °C: 125

最大工作频率 (ft): 4

输出电容 (Cc), pF: 110

直流电流增益 (hfe): 40

四、a1010晶体管参数？

型号：2SA1010

类型：PNP三极管

集电极耗散功率（PC）：40 W

集电极电流（IC）：5 A

集电极与基极最高耐压（VCBO）：100 V

集电极与基极反向漏电流（ICBO）：10 μA

直流放大系数（hFE）：40-200

封装：TO-220AB

五、gto晶体管有哪些参数？

最常用的是8050和8550

如果是高频的话3906和3904就可以了

要考虑的参数：

工作频率

vcbo

功耗

ic

六、双极性晶体管参数？

双极型晶体管极限参数:

★最大集电极耗散功率 。

★最大集电极电流 :使b下降到正常值的1/2～2/3时的集电极电流称之为集电极最大允许电流。

★极间反向击穿电压：晶体管的某一电极开路时，另外两个电极间所允许加的最高反向电压即为极间反向击穿电压，超过此值的管子会发生击穿现象。温度升高时，击穿电压要下降

七、a1939晶体管参数？

a1939是硅pnp型大功率三极管，它的主要参数，集电极与基极电压80伏，集电极与发射极电压80伏，发射极与基极电压5伏，集电极电流6安，耗散功率60瓦，结温150℃，当集电极电流1安时，直流电流增益55～160倍。3安时，直流电流增益35～75倍，特征频率30兆赫兹。常与c5196组成互补功率对管，作未级输出。

八、2222a晶体管参数？

2222a晶体管是一款电源管理芯片，它的参数设置是电压输出范围是2.1V-1.78V，开关频率60KHz。输入电压范围为3.7V～4.5V，主频率3650。电源管理芯片是在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其他电能管理的职责的芯片，主要负责识别CPU供电幅值，产生相应的短矩波，推动后级电路进行功率输出

九、8050晶体管的参数？

8050三极管参数：类型：NPN，功率Pc：0.625W(贴片：0.3w)，电流lC：0.5A。电压：40v，Vceo：25V。

十、261lB晶体管参数？

晶体管主要参数，晶体管主要参数晶体管的主要参数有电流放大系数、耗散功率、频率特性、集电极最大电流、最大反向电压、反向电流等。

晶体管主要参数

晶体管的主要参数有电流放大系数、耗散功率、频率特性、集电极最大电流、最大反向电压、反向电流等。

　　※ 电流放大系数

　　电流放大系数也称电流放大倍数，用来表示晶体管放大能力。

　　根据晶体管工作状态的不同，电流放大系数又分为直流电流放大系数和交流电流放大系数。

　　1、直流电流放大系数 直流电流放大系数也称静态电流放大系数或直流放大倍数，是指在静态无变化信号输入时，晶体管集电极电流IC与基极电流IB的比值，一般用hFE或β表示。

　　2、交流电流放大系数 交流电流放大系数也称动态电流放大系数或交流放大倍数，是指在交流状态下，晶体管集电极电流变化量△IC与基极电流变化量△IB的比值，一般用hfe或β表示。

　　hFE或β既有区别又关系密切，两个参数值在低频时较接近，在高频时有一些差异。

　　

耗散功率

　　耗散功率也称集电极最大允许耗散功率PCM，是指晶体管参数变化不超过规定允许值时的最大集电极耗散功率。

　　耗散功率与晶体管的最高允许结温和集电极最大电流有密切关系。晶体管在使用时，其实际功耗不允许超过PCM值，否则会造成晶体管因过载而损坏。

　　通常将耗散功率PCM小于1W的晶体管称为小功率晶体管，PCM等于或大于1W、小于5W的晶体管被称为中功率晶体管，将PCM等于或大于5W的晶体管称为大功率晶体管。

　　

频率特性

　　晶体管的电流放大系数与工作频率有关。若晶体管超过了其工作频率范围，则会出现放大能力减弱甚至失去放大作用。

　　晶体管的频率特性参数主要包括特征频率fT和最高振荡频率fM等。

　　1、特征频率fT 晶体管的工作频率超过截止频率fβ或fα时，其电流放大系数β值将随着频率的升高而下降。特征频率是指β值降为1时晶体管的工作频率。

　　通常将特征频率fT小于或等于3MHZ的晶体管称为低频管，将fT大于或等于30MHZ的晶体管称为高频管，将fT大于3MHZ、小于30MHZ的晶体管称为中频管。

　　2、最高振荡频率fM 最高振荡频率是指晶体管的功率增益降为1时所对应的频率。

　　通常，高频晶体管的最高振荡频率低于共基极截止频率fα，而特征频率fT则高于共基极截止频率fα、低于共集电极截止频率fβ。

　　集电极最大电流ICM

　　集电极最大电流是指晶体管集电极所允许通过的最大电流。当晶体管的集电极电流IC超过ICM时，晶体管的β值等参数将发生明显变化，影响其正常工作，甚至还会损坏。

　　最大反向电压

　　最大反向电压是指晶体管在工作时所允许施加的最高工作电压。它包括集电极—发射极反向击穿电压、集电极—基极反向击穿电压和发射极—基极反向击穿电压。

　　1、集电极——集电极反向击穿电压 该电压是指当晶体管基极开路时，其集电极与发射极之间的最大允许反向电压，一般用VCEO或BVCEO表示。

　　2、基极—— 基极反向击穿电压 该电压是指当晶体管发射极开路时，其集电极与基极之间的最大允许反向电压，用VCBO或BVCBO表示。

　　3、发射极——发射极反向击穿电压 该电压是指当晶体管的集电极开路时，其发射极与基极与之间的最大允许反向电压，用VEBO或BVEBO表示。

　　

反向电流

　　晶体管的反向电流包括其集电极—基极之间的反向电流ICBO和集电极—发射极之间的反向击穿电流ICEO。

　　1．集电极——基极之间的反向电流ICBO ICBO也称集电结反向漏电电流，是指当晶体管的发射极开路时，集电极与基极之间的反向电流。ICBO对温度较敏感，该值越小，说明晶体管的温度特性越好。

　　2．集电极——发射极之间的反向击穿电流ICEO ICEO是指当晶体管的基极开路时，其集电极与发射极之间的反向漏电电流，也称穿透电流。此电流值越小，说明晶体管的性能越好。