手机晶体管作用？ PNP晶体管和NPN晶体管属于什么晶体管？

一、手机晶体管作用？

作用为：

1.二极管可以作为单向的开关使用

2.三极管则可以用过电流的放大

3.通过三极管的拼接 也可以进行逻辑的运算

4.使用的芯片都是通过晶体管的拼接而组成的数字或者模拟电路

晶体管内部的工作原理很简单，对基极PS2707-1与发射极之间流过的电流进行不断地监视，并控制集电极发射极间电流源使基极一发射极间电流的数十至数百倍（依晶体管的种类而异）的电流流在集电极与发射极之间。就是说，晶体管是用基极电流来控制集电极一发射极电流的器件。

从外部来看，因为在基极输入的电流被变大而出现在集电极、发射极端上，所以可看成将输入信号进行了放大。

在实际的晶体管虽然有数千个品种，然而只是在最大规格、电特性和外形等方面有所不同。

晶体管是将基极与发射极间流动的电流检测出来，进而控制集电极一发射极间电流的器件，所以只要使电流在基极与发射极之间流动，它就工作。也就是说，设计一种外部电路使基极一发射极间电流流动就可以了。

扩展资料：

晶体管的低成本、灵活性和可靠性使得其成为非机械任务的通用器件，例如数字计算。在控制电器和机械方面，晶体管电路也正在取代电机设备，因为它通常是更便宜、更有效地，仅仅使用标准集成电路并编写计算机程序来完成同样的机械任务，使用电子控制，而不是设计一个等效的机械控制。

因为晶体管的低成本和后来的电子计算机、数字化信息的浪潮来到了。由于计算机提供快速的查找、分类和处理数字信息的能力，在信息数字化方面投入了越来越多的精力。今天的许多媒体是通过电子形式发布的，最终通过计算机转化和呈现为模拟形式。受到数字化革命影响的领域包括电视、广播和报纸。

频率特性

晶体管频率特性参数，常用的有以下2个：

(1)特征频率ft：它是指在测试频率足够高时，使晶体管共发射极电流放大系数时的频率。

(2)截止频率fb：

在置换晶体管时，主要考虑ft与fb。通常要求用于置换的晶体管，其ft与fb，应不小于原晶体管对应的ft与fb。

其他参数

除以上主要参数外，对于一些特殊的晶体管，在置换时还应考虑以下参数：

(1)对于低噪声晶体管，在置换时应当用噪声系数较小或相等的晶体管。

(2)对于具有自动增益控制性能的晶体管，在置换时应当用自动增益控制特性相同的晶体管。

(3)对于开关管，在置换时还要考虑其开关参数。

二、PNP晶体管和NPN晶体管属于什么晶体管？

PNP晶体管和NPN晶体管都属于双极性晶体管。除了双极性晶体管，还有一种常见的是场效应管。场效应管也分为P沟道场效应管和N沟道场效应管。PNP型晶体管工作时，以发射极为它参考点，集成极是最低电位，而基极电位比发射极略低。而NPN晶体管中，集成极电位最高，而基极电位略高于发射极。

三、手机芯片有多少晶体管？

目前一部手机芯片最多一百五十亿晶体管。

目前一部高端手机内部芯片的硅晶体管数量要超过一百亿只。以苹果a15为例，5纳米就将是每平方毫米有1.771亿只硅晶体管，而芯片面积大约88平方毫米，

四、晶体管，单极型晶体管，双极型晶体管什么关系？

双极性晶体管(BJT,Bipolar Junction Transistor)：又称晶体三极管、半导体三极管等，简称三极管。有两种不同极性的载流子（电子与空穴）同时参与导电，故称为双极型晶体管。根据材料的不同可分为结型场效应管JFET (Junction Field Effect Transistor)和绝缘栅型场效应管IGFET(Insulated Gate FET) 。

单极性晶体管：只有一种极性的多数载流子（电子或空穴）参与导电，故称为单极型晶体管，如场效晶体管等。根据材料的不同晶体三极管可分为硅管(Si)与锗管(Ge)。

硅三极管的反向漏电流小，耐压高，温度漂移小，且能在较高的温度下工作和承受较大的功率损耗。锗三极管的增益大，频率响应好，尤其适用于低压线路。

五、手机芯片晶体管数量排名？

LGA1366 X58 Westmere-E 32纳米 6核心 无核显 12M三级缓存 11.7亿晶体管 代表作：i7 990X

一代i7 Lynnfield 架构 45纳米 4核心 无核显 8M 三级缓存 7.74亿晶体管 代表作：i7 880

二代i7 SNB 架构 32纳米 4核心 有核显 8M 三级缓存 9.95亿晶体管（低性能核显）代表作：i7 2700K

LGA2011 X79 SNB-E 32纳米 4核心 无核显 10M三级缓存 12.7亿晶体管 代表作：i7 3820

LGA2011 X79 SNB-EP 32纳米 8核心 无核显 20M三级缓存 22.7亿晶体管 代表作：E5 2690

三代i7 Ivy架构 22纳米 4核心 有核显 8M 三级缓存 12亿晶体管（提升核显性能）代表作：i7 3770K。

六、晶体管效应？

利用场效应原理工作的晶体管，简称FET。场效应就是改变外加垂直于半导体表面上电场的方向或大小，以控制半导体导电层（沟道）中的多数载流子的密度或类型。

这种晶体管的工作原理与双极型晶体管不同，它是由电压调制沟道中的电流，其工作电流是由半导体中的多数载流子输运，少数载流子实际上没有作用。这类只有一种极性载流子参加导电的晶体管又称单极晶体管。

七、晶体管种类？

晶体管是电流驱动的半导体器件，用于控制电流的流动，用于放大弱信号，用作振荡器或开关，具有检波、整流、放大、开关、稳压等多种功能。

主要分类

按材料可分为硅材料晶体管、锗材料晶体管。

按工作频率可分为低频晶体管、高频晶体管和超高频晶体管等。

按电流容量可分为小功率晶体管、中功率晶体管和大功率晶体管。

按制造工艺可分为扩散型晶体管、合金型晶体管、平面型晶体管。

按封装结构可分为金属封装晶体管、塑料封装体管、玻璃壳封装晶体管等。

按功能和用途可分为低噪声放大晶体管、中高频放大晶体管、低频放大晶体管、开关晶体管、微波晶体管、光敏晶体管、磁敏晶体管等。

八、晶体管作用？

答：晶体管是一种固体半导体器件（包括二极管、三极管、场效应管、晶闸管等，有时特指双极型器件），具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关，能够基于输入电压控制输出电流。

九、晶体管定律？

晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关，能够基于输入电压控制输出电流。与普通机械开关（如Relay、switch）不同，晶体管利用电讯号来控制自身的开合，而且开关速度可以非常快，实验室中的切换速度可达100GHz以上。 2016年，劳伦斯伯克利国家实验室的一个团队打破了物理极限，将现有的最精尖的晶体管制程从14nm缩减到了1nm，完成了计算技术界的一大突破

十、晶体管别称？

晶体管全称双极型三极管(Bipolar junction transistor，BJT)又称晶体三极管，简称三极管。